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Si6466ADQ
Vishay Siliconix
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
20
R DS(on) ( Ω )
0.014 at V GS = 4.5 V
0.020 at V GS = 2.5 V
I D (A)
8.1
6.6
? Halogen-free
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? 100 % R g Tested
RoHS
COMPLIANT
D
TSSOP-8
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
D
S
S
G
1
2
3
4
8 D
7 S
6 S
5 D
G
must be tied common.
Top View
Ordering Information: Si6466ADQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
S*
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
20
±8
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
8.1
6.6
30
6.8
5.4
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
1.35
0.95
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.5
1.0
- 55 to 150
1.05
0.67
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
65
100
43
83
120
52
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71182
S-80682-Rev. C, 31-Mar-08
www.vishay.com
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